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DataTítuloAutor(es)TipoAcesso
2010Effect of grain size and hydrogen passivation on the electrical properties of nanocrystalline silicon filmsCerqueira, M. F.; Semikina, T. V.; Baidus, N. V.; Alves, E.ArtigoAcesso aberto
2010Crystal size and crystalline volume fraction effects on the Erbium emission of nc-Si:Er grown by r.f. sputteringCerqueira, M. F.; Stepikhova, M.; Kozanecki, A.; Andrês, G.; Alves, E.ArtigoAcesso aberto
2010Raman study of doped-ZnO thin films grown by rf sputteringCerqueira, M. F.; Rolo, Anabela G.; Viseu, T. M. R.; Campos, J. Ayres de; Arôso, T. de Lacerda; Oliveira, Fernando; Vasilevskiy, Mikhail; Alves, E.Artigo em ata de conferênciaAcesso aberto
Abr-2010Erbium-doped nanocrystalline silicon thin films produced by RF sputtering: annealing effect on the ER emissionCerqueira, M. F.; Monteiro, T.; Soares, Manuel Jorge; Kozanecki, A.; Alpuim, P.; Alves, E.Artigo em ata de conferênciaAcesso aberto
2010Room temperature paramagnetism of ZnO:Mn films grown by RF-sputteringOliveira, Filipe André; Cerqueira, M. F.; Vasilevskiy, Mikhail; Viseu, T. M. R.; Campos, J. Ayres de; Rolo, Anabela G.; Martins, J. S.; Sobolev, N. A.; Alves, E.ArtigoAcesso aberto
2010Structural study of Si1-xGex nanocrystals embedded in SiO2 filmsPinto, S. R. C.; Kashtiban, R. J.; Rolo, Anabela G.; Buljan, M.; Chahboun, A.; Bangert, U.; Barradas, N. P.; Alves, E.; Gomes, M. J. M.ArtigoAcesso restrito UMinho
2010Electrical and raman scattering studies of ZnO:P and ZnO:Sb thin filmsCampos, J. Ayres de; Viseu, T. M. R.; Rolo, Anabela G.; Barradas, N. P.; Alves, E.; Lacerda-Arôso, T. de Lacerda; Cerqueira, M. F.ArtigoAcesso aberto
Abr-2010Functional and optical properties of Au :TiO2 nanocomposite films : the influence of thermal annealingTorrell, M.; Cunha, L.; Cavaleiro, A.; Alves, E.; Barradas, N. P.; Vaz, F.ArtigoAcesso aberto
1-Jun-2010Strain dependence electrical resistance and cohesive strength of ITO thin films deposited on electroactive polymerRebouta, L.; Rubio-Peña, L.; Oliveira, C.; Lanceros-Méndez, S.; Tavares, C. J.; Alves, E.ArtigoAcesso aberto
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