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DataTítuloAutor(es)TipoAcesso
2017Raman and IR-ATR spectroscopy studies of heteroepitaxial structures with a GaN:C top layerCerqueira, M. F.; Vieira, L. G.; Alves, A.; Correia, R.; Huber, M.; Andreev, A.; Bonanni, A.; Vasilevskiy, MikhailArtigoAcesso aberto
2015Multi-stacks of epitaxial GeSn self-assembled dots in Si: Structural analysisOliveira, F.; Fischer, I. A.; Benedetti, A.; Cerqueira, M. F.; Vasilevskiy, Mikhail; Stefanov, S.; Chiussi, S.; Schulze, J.ArtigoAcesso aberto
Set-2015Raman study of insulating and conductive ZnO: (Al, Mn) thin filmsCerqueira, M. F.; Viseu, T. M. R.; Campos, J. Ayres de; Rolo, Anabela G.; Lacerda-Arôso, T. de; Oliveira, F.; Bogdanovic-Radovic, I.; Alves, E.; Vasilevskiy, MikhailArtigoAcesso aberto
2015Effect of surface plasmon resonance in TiO2/Au thin films on the fluorescence of self-assembled CdTe QDs structureMoura, I.; Cerqueira, M. F.; Melnikau, D.; Savateeva, D.; Rakovich, Y.; Borges, J.; Vaz, F.; Vasilevskiy, MikhailArtigo em ata de conferênciaAcesso aberto
19-Mar-2018Structural and vibrational properties of SnxGe1-x: Modeling and experimentsVasin, A. S.; Oliveira, F.; Cerqueira, M. F.; Schulze, J.; Vasilevskiy, MikhailArtigoAcesso aberto
28-Dez-2015Fabrication of GeSn-multiple quantum wells by overgrowth of Sn on Ge by using molecular beam epitaxyOliveira, F.; Fischer, I. A.; Benedetti, A.; Zaumseil, P.; Cerqueira, M. F.; Vasilevskiy, Mikhail; Stefanov, S.; Chiussi, S.; Schulze, J.ArtigoAcesso restrito UMinho
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