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DataTítuloAutor(es)TipoAcesso
2014IBA study of SiGe/SiO2 nanostructured multilayersBarradas, N. P.; Alves, E.; Vieira, E. M. F.; Parisini, A.; Conde, O.; Martín-Sánchez, J.; Rolo, Anabela G.; Chahboun, A.; Gomes, M. J. M.ArtigoAcesso restrito UMinho
2013On the formation of an interface amorphous layer in nanostructured ferroelectric Ba0.8Sr0.2TiO3 thin films integrated on Pt-Si and its effect on the electrical propertiesSilva, J. P. B.; Sekhar, K. C.; Rodrigues, S. A. S.; Pereira, Mário R.; Parisini, A.; Alves, E.; Barradas, N. P.; Gomes, M. J. M.ArtigoAcesso restrito UMinho
Abr-2012Tuning the properties of Ge-quantum dots superlattices in amorphous silica matrix through deposition conditionsPinto, S. R. C.; Buljan, M.; Chahboun, A.; Roldan, M. A.; Bernstorff, S.; Varela, M.; Pennycook, S. J.; Barradas, N. P.; Alves, E.; Molina, S. I.; Ramos, Marta M. D.; Gomes, M. J. M.ArtigoAcesso restrito UMinho
2012Structural and Electrical Properties of Nanostructured Ba<sub>0.8</sub>Sr<sub>0.2</sub>TiO<sub>3</sub> Films Deposited by Pulsed Laser DepositionSilva, José Pedro Basto; Rodrigues, S.A.S.; Khodorov, Anatoli; Martín-Sánchez, J.; Pereira, M.; Alves, E.; Gomes, M. J. M.; Colomban, PhilippeArtigoAcesso restrito UMinho
2011Influence of the deposition parameters on the growth of SiGe nanocrystals embedded in Al2O3 matrixVieira, E. M. F.; Pinto, S. R. C.; Levichev, S.; Rolo, Anabela G.; Chahboun, A.; Buljan, M.; Barradas, N. P.; Alves, E.; Bernstorff, S.; Conde, O.; Gomes, M. J. M.ArtigoAcesso restrito UMinho
Set-2012Influence of annealing conditions on formation of regular lattices of voids and Ge quantum dots in amorphous alumina matrixPinto, S. R. C.; Buljan, Maja; Marques, L.; Martín-Sánchez, J.; Chahboun, A.; Barradas, N. P.; Alves, E.; Bernstorff, S.; Ramos, Marta M. D.; Gomes, M. J. M.ArtigoAcesso aberto
2012Controlling the properties of layered self-organized Ge clusters in silica matrixPinto, S. R. C.; Roldan, M. A.; Buljan, Maja; Bernstorff, S.; Chahboun, A.; Barradas, N. P.; Alves, E.; Molina, S. I.; Ramos, Marta M. D.; Gomes, M. J. M.; Varela, M.; Pennycook, S. J.Resumo em ata de conferência Acesso aberto
14-Abr-2011Low-temperature fabrication of layered self organized ge clusters by RF-sputteringPinto, S. R. C.; Rolo, Anabela G.; Buljan, M.; Chahboun, A.; Bernstorff, S.; Barradas, N. P.; Alves, E.; Kashtiban, R. J.; Bangert, U.; Gomes, M. J. M.ArtigoAcesso aberto
2010Structural study of Si1-xGex nanocrystals embedded in SiO2 filmsPinto, S. R. C.; Kashtiban, R. J.; Rolo, Anabela G.; Buljan, M.; Chahboun, A.; Bangert, U.; Barradas, N. P.; Alves, E.; Gomes, M. J. M.ArtigoAcesso restrito UMinho
24-Jul-2017SiGe layer thickness effect on the structural and optical properties of well-organized SiGe/SiO2 multilayersVieira, E. M. F.; Toudert, J.; Rolo, Anabela G.; Parisini, A.; Leitão, J. P.; Correia, M. R.; Franco, N.; Alves, E.; Chahboun, Adil; Martín-Sánchez, J.; Serna, R.; Gomes, M. J. M.ArtigoAcesso restrito UMinho
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