Pesquisa avançada

.

Filtros atuais:

Usar filtros adicionais para refinar os resultados da pesquisa:

 |          

Lista de resultados: 31-40 de um total de 261 resultados (tempo de pesquisa: 0.0 segundos).
DataTítuloAutor(es)TipoAcesso
10-Abr-2013A primer on surface plasmon-polaritons in grapheneBludov, Yuliy V.; Ferreira, Aires; Peres, N. M. R.; Vasilevskiy, MikhailArtigoAcesso aberto
2006Study of the oxygen role in the photoluminescence of erbium doped nanocrystalline silicon embedded in a silicon amorphous matrixCerqueira, M. F.; Losurdo, M.; Monteiro, T.; Stepikhova, M.; Soares, M. J.; Peres, M.; Alves, E.; Conde, O.ArtigoAcesso aberto
4-Abr-2017Excitonic effects in the optical properties of 2D materials: An equation of motion approachChaves, A. J.; Ribeiro, R. M.; Frederico, T.; Peres, N. M. R.ArtigoAcesso aberto
Jul-2003Electronic and structural properties of doped amorphous and nanocrystalline silicon deposited at low substrate temperatures by radio-frequency plasma-enhanced chemical vapor depositionAlpuim, P.; Chu, V.; Conde, J. P.ArtigoAcesso aberto
28-Mai-2013Condensed exciton polaritons in a two-dimensional trap: elementary excitations and shaping by a Gaussian pump beamNúñez Fernández, Yuriel; Vasilevskiy, Mikhail; Trallero-Giner, Carlos; Kavokin, AlexeyArtigoAcesso aberto
5-Mar-2013Phonon modes and raman scattering in SixGe1-x nanocrystals: microscopic modellingVasin, Alexander; Vikhrova, Olga; Vasilevskiy, MikhailArtigo em ata de conferênciaAcesso aberto
2010Effect of grain size and hydrogen passivation on the electrical properties of nanocrystalline silicon filmsCerqueira, M. F.; Semikina, T. V.; Baidus, N. V.; Alves, E.ArtigoAcesso aberto
2010Crystal size and crystalline volume fraction effects on the Erbium emission of nc-Si:Er grown by r.f. sputteringCerqueira, M. F.; Stepikhova, M.; Kozanecki, A.; Andrês, G.; Alves, E.ArtigoAcesso aberto
20-Out-2021Manganese migration in Li1-xMn2O4 cathode materialsVelasco, Sebastian Calderon; Ribeiro, R. M.; Ferreira, P. J.ArtigoAcesso aberto
Abr-2009Deposition of silicon nitride thin films by hot-wire CVD at 100ºC and 250ºCAlpuim, P.; Gonçalves, L. M.; Marins, Emílio Sérgio; Viseu, T. M. R.; Ferdov, S.; Bourée, J. E.ArtigoAcesso aberto