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DataTítuloAutor(es)TipoAcesso
2-Abr-2018Hysteretic Characteristics of Pulsed Laser Deposited 0.5Ba(Zr0.2Ti0.8)O3-0.5(Ba0.7Ca0.3)TiO3/ZnO BilayersSilva, J. P. B.; Wang, J.; Koster, G.; Rijnders, G; Negrea, R.; Ghica, C.; Sekhar, K. C.; Moreira, J. Agostinho; Gomes, M. J. M.ArtigoAcesso restrito UMinho
Jan-2016Ferroelectric polarization and resistive switching characteristics of ion beam assisted sputter deposited BaTiO3 thin filmsSilva, J. P. B.; Kamakshi, Koppole; Sekhar, K. C.; Moreira, J. Agostinho; Almeida, A.; Pereira, Mário; Gomes, M. J. M.ArtigoAcesso restrito UMinho
2017Unraveling the resistive switching effect in ZnO/0.5Ba(Zr0.2Ti0.8)O3-0.5(Ba0.7Ca0.3)TiO3 heterostructuresSilva, J. P. B.; Vorokhta, M.; Dvořák, F.; Sekhar, K. C.; Matolín, V.; Moreira, J. Agostinho; Pereira, Mário; Gomes, M. J. M.ArtigoAcesso restrito UMinho
2023Resistive switching behavior in ZnO:Ca thin films deposited by a pulsed laser deposition techniqueMejri, I. H.; Omri, K.; Ghiloufi, I.; Silva, José Pedro Basto; Gomes, M. J. M.; El Mir, L.ArtigoAcesso aberto
18-Dez-2015Enhanced resistive switching and multilevel behavior in bilayered HfAlO/HfAlOx structures for non-volatile memory applicationsFaita, F. L.; Silva, J. P. B.; Pereira, Mário; Gomes, M. J. M.ArtigoAcesso restrito UMinho
2016Resistive switching in ferroelectric lead-free 0.5Ba (Zr0.2Ti0.8)O3-0.5(Ba0.7Ca0.3)TiO3 thin filmsSilva, J. P. B.; Kamakshi, Koppole; Sekhar, K. C.; Queirós, E. C.; Moreira, J. Agostinho; Almeida, A.; Pereira, Mário; Tavares, P. B.; Gomes, M. J. M.ArtigoAcesso restrito UMinho
2022Abnormal resistive switching in electrodeposited Prussian White thin filmsFaita, F.L.; Avila, L.B.; Silva, J.P.B.; Boratto, M.H.; Cid, C.C. Plá; Graeff, C.F.O.; Gomes, M. J. M.; Müller, C.K.; Pasa, A.A.ArtigoAcesso restrito UMinho
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