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DataTítuloAutor(es)TipoAcesso
2010Effect of grain size and hydrogen passivation on the electrical properties of nanocrystalline silicon filmsCerqueira, M. F.; Semikina, T. V.; Baidus, N. V.; Alves, E.ArtigoAcesso aberto
9-Jul-2013Scattering by linear defects in graphene: a tight-binding approachRodrigues, J. N. B.; Peres, N. M. R.; Santos, J. M. B. Lopes dosArtigoAcesso aberto
2010Crystal size and crystalline volume fraction effects on the Erbium emission of nc-Si:Er grown by r.f. sputteringCerqueira, M. F.; Stepikhova, M.; Kozanecki, A.; Andrês, G.; Alves, E.ArtigoAcesso aberto
Fev-2011Pulsed DC reactive magnetron sputtering of vanadium dioxide thermochromic thin filmsBatista, C.; Teixeira, Vasco M. P.; Ribeiro, R. M.ArtigoAcesso aberto
10-Abr-2013A primer on surface plasmon-polaritons in grapheneBludov, Yuliy V.; Ferreira, Aires; Peres, N. M. R.; Vasilevskiy, MikhailArtigoAcesso aberto
2010Nanoscale color control of TiO2 films with embedded Au nanoparticlesTorrell, M.; Cunha, L.; Kabir, R.; Cavaleiro, A.; Vasilevskiy, Mikhail; Vaz, F.ArtigoAcesso aberto
2011Resonant raman scattering in ZnO : Mn and ZnO: Mn : Al thin films grown by RF sputteringCerqueira, M. F.; Vasilevskiy, Mikhail; Oliveira, Fernando; Rolo, Anabela G.; Viseu, T. M. R.; Campos, J. Ayres de; Alves, E.; Correia, RosárioArtigoAcesso aberto
Fev-2012Field-effect tunneling transistor based on vertical graphene heterostructuresBritnell, L.; Gorbachev, R. V.; Jalil, R.; Belle, B. D.; Schedin, F.; Katsnelson, M. I.; Eaves, L.; Morozov, S. V.; Peres, N. M. R.; Leist, J.; Geim, A. K.; Novoselov, K. S.; Ponomarenko, L. A.ArtigoAcesso aberto
2011Stability of boron nitride bilayers : ground-state energies, interlayer distances, and tight-binding descriptionRibeiro, R. M.; Peres, N. M. R.ArtigoAcesso aberto
2017Universal description of channel plasmons in two-dimensional materialsGonçalves, Paulo André Dias; Bozhevolnyi, Sergey I.; Mortensen, N. Asger; Peres, N. M. R.ArtigoAcesso aberto
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