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DataTítuloAutor(es)TipoAcesso
2009The role of modulated IR radiometry measurements in the characterization of Zr-O-N thin filmsMacedo, Francisco; Carvalho, Pedro; Cunha, L.; Vaz, F.; Gibkes, Juergen; Bein, Bruno K.; Plezl, JosefArtigoAcesso aberto
27-Mai-2008Influence of the chemical and electronic structure on the electrical behavior of zirconium oxynitride filmsCarvalho, P.; Chappé, J. M.; Cunha, L.; Lanceros-Méndez, S.; Alpuim, P.; Vaz, F.; Alves, E.; Rousselot, C.; Espinós, J. P.; Gonzalez-Elipe, A. R.ArtigoAcesso aberto
30-Jan-2004Effect of substrate bias voltage on amorphous Si–C–N films produced by PVD techniquesCunha, L.; Moura, C.; Leme, J.; Andrês, G.; Pischow, K.ArtigoAcesso aberto
2-Dez-2002Physical and morphological characterization of reactively magnetron sputtered TiN filmsVaz, F.; Machado, P.; Rebouta, L.; Mendes, J. A.; Lanceros-Méndez, S.; Cunha, L.; Nascimento, Sérgio M. C.; Goudeau, Ph.; Rivière, J. P.; Alves, E.; Sidor, A.ArtigoAcesso aberto
3-Jan-2006Properties of MoNxOy thin films as a function of N/O ratioBarbosa, José Gusman; Cunha, L.; Rebouta, L.; Moura, C.; Vaz, F.; Carvalho, S.; Alves, E.; Le Bourhis, E.; Goudeau, Ph.; Rivière, J. P.ArtigoAcesso aberto
Abr-2008TiN-based decorative coatings : colour change by addition of C and OChappé, J. M.; Fernandes, Ana C.; Cunha, L.; Moura, C.; Vaz, F.; Martin, N.; Munteanu, D.; Borcea, B.ArtigoAcesso aberto
Jul-2009Properties changes of Ti(C, O, N) films prepared by PVD : the effect of reactive gases partial pressureCunha, L.; Moura, C.; Vaz, F.; Chappé, J. M.; Olteanu, C.; Munteanu, D.; Munteanu, A.ArtigoAcesso aberto
2000Estudo dos mecanismos de degradação em revestimentos PVD baseados em nitretos metálicos no processamento de materiais plásticosCunha, L.Tese de doutoramentoAcesso aberto
Jun-2005Tribocorrosion behaviour of zrNxOy thin films for decorative applicationsFerreira, S. C.; Ariza, E.; Rocha, L. A.; Vaz, F.; Cunha, L.; Carvalho, P.; Rebouta, L.; Alves, E.; Goudeau, Ph.; Rivière, J. P.Resumo em ata de conferência Acesso aberto
2004Corrosion resistance of ZrNxOy thin films obtained by rf reactive magnetron sputteringAriza, E.; Rocha, L. A.; Vaz, F.; Cunha, L.; Ferreira, S. C.; Carvalho, P.; Rebouta, L.; Alves, E.; Goudeau, Ph.; Rivière, J. P.ArtigoAcesso aberto
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