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DataTítuloAutor(es)TipoAcesso
2018In-situ XRD vs ex-situ vacuum annealing of tantalum oxynitride thin films: Assessments on the structural evolutionCunha, L.; Apreutesei, M.; Moura, C.; Alves, E.; Barradas, N. P.; Cristea, D.ArtigoAcesso restrito UMinho
2010Effect of grain size and hydrogen passivation on the electrical properties of nanocrystalline silicon filmsCerqueira, M. F.; Semikina, T. V.; Baidus, N. V.; Alves, E.ArtigoAcesso aberto
2010Crystal size and crystalline volume fraction effects on the Erbium emission of nc-Si:Er grown by r.f. sputteringCerqueira, M. F.; Stepikhova, M.; Kozanecki, A.; Andrês, G.; Alves, E.ArtigoAcesso aberto
Dez-2013Properties of tantalum oxynitride thin films produced by magnetron sputtering: the influence of processing parametersCristea, D.; Constantin, D. G.; Crisan, A.; Abreu, C. S.; Gomes, J. R.; Barradas, N. P.; Alves, E.; Moura, C.; Vaz, F.; Cunha, L.ArtigoAcesso restrito UMinho
15-Ago-2017Characterization of magnetron sputtered sub-stoichiometric CrAlSiNx and CrAlSiOyNx coatingsAl-Rjoub, A.; Costa, P.; Rebouta, L.; Cerqueira, M. F.; Alpuim, P.; Barradas, N. P.; Alves, E.ArtigoAcesso aberto
8-Jan-2015Solar selective absorbers based on Al2O3:W cermets and AlSiN/AlSiON layersRebouta, L.; Sousa, A.; Capela, Paulina Araújo; Andritschky, M.; Santilli, P.; Matilainen, A.; Pischow, K.; Barradas, N. P.; Alves, E.ArtigoAcesso aberto
30-Abr-2018Optimization of nanocomposite Au/TiO₂ thin films towards LSPR optical-sensingRodrigues, Marco S.; Costa, D.; Domingues, R. P.; Apreutesei, M.; Pedrosa, Paulo Eduardo Teixeira Baptista; Martin, N.; Correlo, V. M.; Reis, R. L.; Alves, E.; Barradas, N. P.; Sampaio, Paula; Borges, Joel Nuno Pinto; Vaz, F.ArtigoAcesso restrito UMinho
20-Mar-2019The effect of increasing Si content in the absorber layers (CrAlSiNx /CrAlSiOyNx) of solar selective absorbers upon their selectivity and thermal stabilityAl-Rjoub, A.; Rebouta, L.; Costa, Pedro Miguel Pinto; Cunha, N. F.; Lanceros-Méndez, S.; Barradas, N. P.; Alves, E.ArtigoAcesso aberto
2014IBA study of SiGe/SiO2 nanostructured multilayersBarradas, N. P.; Alves, E.; Vieira, E. M. F.; Parisini, A.; Conde, O.; Martín-Sánchez, J.; Rolo, Anabela G.; Chahboun, A.; Gomes, M. J. M.ArtigoAcesso restrito UMinho
Abr-2012Tuning the properties of Ge-quantum dots superlattices in amorphous silica matrix through deposition conditionsPinto, S. R. C.; Buljan, M.; Chahboun, A.; Roldan, M. A.; Bernstorff, S.; Varela, M.; Pennycook, S. J.; Barradas, N. P.; Alves, E.; Molina, S. I.; Ramos, Marta M. D.; Gomes, M. J. M.ArtigoAcesso restrito UMinho
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