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DataTítuloAutor(es)TipoAcesso
2017Unraveling the resistive switching effect in ZnO/0.5Ba(Zr0.2Ti0.8)O3-0.5(Ba0.7Ca0.3)TiO3 heterostructuresSilva, J. P. B.; Vorokhta, M.; Dvořák, F.; Sekhar, K. C.; Matolín, V.; Moreira, J. Agostinho; Pereira, Mário; Gomes, M. J. M.ArtigoAcesso restrito UMinho
11-Jan-2017Oxygen partial pressure induced effects on the microstructure and the luminescence properties of pulsed laser deposited TiO2 thin filmsKunti, Arup Kumar; Sekhar, K. C.; Pereira, Mário; Gomes, M. J. M.; Sharma, Shailendra KumarArtigoAcesso restrito UMinho
2017Optical and electrical properties of sol-gel spin coated titanium dioxide thin filmsSahoo, Anusuya; Jayakrishnan, A. R.; Kamakshi, Koppole; Silva, J. P. B.; Sekhar, K. C.; Gomes, M. J. M.Artigo em ata de conferênciaAcesso restrito UMinho
2017Light controlled resistive switching and photovoltaic effects in ferroelectric 0.5Ba(Zr0.2Ti0.8)O3-0.5(Ba0.7Ca0.3)TiO3 thin filmsSilva, J. P. B.; Kamakshi, Koppole; Sekhar, K. C.; Nóvoa, X. R.; Queirós, E. C.; Moreira, J. Agostinho; Almeida, A.; Pereira, Mário; Tavares, P. B.; Gomes, M. J. M.ArtigoAcesso restrito UMinho
11-Abr-2017Enhanced resistive switching characteristics in Pt/BaTiO3/ITO structures through insertion of HfO2:Al2O3 (HAO) dielectric thin layerSilva, J. P. B.; Faita, F. L.; Kamakshi, Koppole; Sekhar, K. C.; Moreira, J. Agostinho; Almeida, A.; Pereira, Mário; Pasa, A. A.; Gomes, M. J. M.ArtigoAcesso aberto
24-Jul-2017SiGe layer thickness effect on the structural and optical properties of well-organized SiGe/SiO2 multilayersVieira, E. M. F.; Toudert, J.; Rolo, Anabela G.; Parisini, A.; Leitão, J. P.; Correia, M. R.; Franco, N.; Alves, E.; Chahboun, Adil; Martín-Sánchez, J.; Serna, R.; Gomes, M. J. M.ArtigoAcesso restrito UMinho
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