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DataTítuloAutor(es)TipoAcesso
11-Abr-2017Enhanced resistive switching characteristics in Pt/BaTiO3/ITO structures through insertion of HfO2:Al2O3 (HAO) dielectric thin layerSilva, J. P. B.; Faita, F. L.; Kamakshi, Koppole, et al.ArtigoAcesso aberto
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