Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/1822/19820

TitleFabrico de células solares de filme de silício amorfo higrogenado utilizando a técnica de deposição química de vapores assistida por filamento aquecido
Author(s)Machado Júnior, George Luiz
Advisor(s)Alpuim, João Pedro Santos Hall Agorreta
Issue date2011
Abstract(s)É apresentado um estudo da fabricação de células solares de filme fino na estrutura de diodos superstrato p-i-n em substratos de plástico à temperatura de 150ºC, usando diferentes camadas de absorção (camada i). A estrutura típica da célula solar fabricada nesse trabalho foi feita com sucessivas camadas: PEN/GZO/p/buffer/i/n/metal. GZO é uma camada transparente condutora janela produzida com Óxido de Zinco dopada com Gálio e o buffer é uma camada de silício amorfo de hiato de energia proibida (gap) maior ~10nm de espessura. Células solares flexíveis, depositadas totalmente por deposição química de vapores assistida por plasma assistido de radio freqüência (RFPECVD) em plástico do tipo PEN, tiveram eficiência de 5.0%, JSC = 11.2 mA/cm2 e VOC = 0.830 V. Células solares similares depositadas sobre PEN, porém com a camada –i depositada por deposição química de vapores assistida por filamento aquecido (HWCVD), tiveram eficiência de 4.53%, JSC = 12.7 mA/cm2 e VOC = 0.699 V. Células solares fabricadas em PEN e vidro Asahi-U têm características comparáveis, no entanto, o melhor fill factor obtido no PEN é 55.6% contra 60.1% no vidro.
A study of the fabrication of thin-film silicon solar cells in the p-i-n superstrate diode configuration on plastic substrates at a temperature of 150 ºC, using different absorbing i-layers, is presented. In this work a typical solar cell structure comprises the following successive layers: PEN/GZO/p/buffer/i/n/metal. GZO is a transparent conductive window layer made of Zinc Oxide doped with Gallium and buffer is a high-bandgap ~10 nm-thick amorphous silicon layer. Flexible solar cells deposited entirely by radiofrequency plasma enhanced chemical vapour deposition (RF-PECVD) on PEN had a conversion efficiency of 5.0%, JSC = 11.2 mA/cm2, and VOC = 0.830 V. Similar solar cells on PEN but with the i-layer deposited by hot-wire chemical vapor deposition (HWCVD), had the efficiency of 4.53%, JSC = 12.7 mA/cm2, and VOC = 0.699 V. Devices fabricated on PEN and on Asahi-U glass have comparable characteristics. However, the best fill factor obtained on PEN is 55.6% whereas on glass it is 60.1%.
TypeMaster thesis
DescriptionDissertação de mestrado em Física de Materiais Avançados (área de especialização em Materiais Funcionais para a Nano e Microtecnologias)
URIhttp://hdl.handle.net/1822/19820
AccessRestricted access (UMinho)
Appears in Collections:BUM - Dissertações de Mestrado
CDF - FMNC - Dissertações de Mestrado/Master Thesis

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